KD2B10高频开关降压模块与传统硅堆降压的比较
KD2B10高频开关降压模块采用无级调压方式，控制输出电压稳定在220V±0.5%，输出精度高。硅降压一般6-10V为一级降压，因而输出**少有3-5V的误差。
KD2B10降压范围大，输入电压可到320V，可降压100V。硅降压一般不超过35V，当输入电压超过降压范围时，输出电压会随之升高。
KD2B10采用无级双向调压方式，当输入电压低到180V（对于220V系统）时，仍能够输出稳定的220V。硅降压无法做到双向调压。
KD2B10响应速度快，输入电压突变时（如均浮充转换时），模块在200μS内调整完成，过冲小于2%，不会对控母造成冲击或欠压。硅降压响应速度慢，反应时间为几十毫秒，输入电压突变时在输出上会产生很大的瞬间冲击。
KD2B10备份十分方便，可靠性高；硅链降压的备份则十分不便。
KD2B10采用带电插拔结构，维护方便。硅链降压无法采用带电插拔结构，维护更换十分不便。
KD2B10由于采用了输入与输出隔离的电路结构，所以**不会出现由于降压回路被击穿，而导致合母电压直接加到控母上。硅链降压（或斩波器）由于无法采用隔离措施，无法避免这一情况。
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